Фотоэлектрический датчик, диффузный, 400мм, регулируемый, PNP NO+NC, металлический, FAI7/BP-1E Micro detectors

Фотоэлектрический датчик, осевой, диффузный, 400 мм, регулируемый, PNP, NO+NC, металлический, разъем M12, FAI7/BP-1E Micro detectors

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ
свойства обнаружения
Номинальная расстояние обнаружения 400 мм белая цель 90% Kodak 200x200 мм
Тепловой дрейф ≤10% Sr
Воспроизводимость 5%
Регулировка чувствительности триммера
приложение
Принцип действия Прямая диффузия
Осевое оптическое положения
выходы
Тип вывода PNP
NO + NC функция выхода
Частота коммутации 250Гц
электрические данные
Напряжение питания 10-30В постоянного тока
Поглощение вакуума ≤30mA
Ток нагрузки ≤100mA
Ток утечки ≤10 мкА
Падение напряжения на выходе 2В макс.  ИЛ = 100 мА
Максимальная остаточная пульсация 10%
Желтые светодиодные индикаторы (исходное состояние)
Задержка доступности ≤200 мс
Защита от короткого замыкания Короткое замыкание (самозанулення), перенапряжение
Защита от обратной полярности обратная полярность, импульсные перенапряжения
Инфракрасное светодиодное излучение
Иммунитет окружающего света 3000lux (лампа накаливания), 10000lux (солнечный свет)
механические данные
Размеры M18 x 1 / L = 81,6мм
100 г
Материал корпуса латунь никелированная
Подключение M12 4pin разъем
Материал части ПК
Крутящий момент затяжки 25 Нм
Рабочая температура - 25 ° C ... + 70 ° C (без конденсата)
Диаметр / Размеры M18
Тестирование / Сертификаты
Сертификаты CE, cULus
Электромагнитная совместимость EN 60947-5-2
Ударные и вибрационные вибрации IEC 60068-2-6 / Удар IEC 60068-2-27
Степень защиты IP67