Фотоэлектрический датчик, регулируемый, диффузный, 400 мм, инфракрасный, PNP L/D, QMI7/0P-0F Micro detectors

Фотоэлектрический датчик, миниатюрный, кубический, диффузный, регулируемый, 400 мм, инфракрасный, PNP L/D, разъем M8 4pins, QMI7/0P-0F Micro detectors

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ
свойства обнаружения
Номинальная расстояние обнаружения 400 мм белая цель 90% Kodak 200x200 мм
Тепловой дрейф ≤10% Sr
Воспроизводимость 5%
дополнение
Принцип действия Прямая диффузия
выходы
Тип вывода PNP
Функция выбора LO / DO на выходе
Частота коммутации 2 кГц
электрические данные
Напряжение питания 10-30В постоянного тока
Поглощение вакуума ≤30mA
Ток нагрузки ≤100mA
Ток утечки ≤10 мкА
Падение напряжения на выходе 2В макс.  ИЛ = 100 мА
Максимальная остаточная пульсация 10%
Светодиодные индикаторы желтый (исходное состояние), зеленый (избыток усиления)
Задержка доступности ≤200 мс
Защита от короткого замыкания Так
Защита от обратной полярности Так
Инфракрасное светодиодное излучение
Иммунитет окружающего света 3000lux (лампа накаливания), 10000lux (солнечный свет)
Защита от импульсных перенапряжений Так
механические данные
40,6x21x13mm Размеры
Вес 10 г
Материал корпуса PA66
Подключение M8 на выходе
Материал активной части ПММА
Крутящий момент затяжки 1 Нм
Рабочая температура - 25 ° C ... + 70 ° C (без конденсата)
Температура хранения - 30 ° C ... + 80 ° C (без конденсата)
Тестирование / Сертификаты
Сертификаты CE cULus
Электромагнитная совместимость EN 60947-5-3
Ударные и вибрационные вибрации IEC 60068-2-6 / Удар IEC 60068-2-38
Степень защиты триммер