Фотоэлектрический датчик диффузный, 1м NPN/PNP, NO+NC, разъем M12 Q50I6/B0-0E M.D. Micro Detectorsetectors
от 4 614,33 ₴
Показать оптовые цены- Нет в наличии
- Оптом и в розницу
- Код: Q50I6/B0-0E
- +380 (67) 505-62-89Менеджер
Фотоэлектрический датчик компактний кубічний 50/50 мм -DC або AC/DC диффузный, 1м NPN/PNP, NO+NC, разъем M12 Q50I6/B0-0E M.D. Micro Detectors
ТЕХНИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ
свойства обнаружения
Номинальная расстояние обнаружения 0,1 ... 1м
Регулировка чувствительности однооборотный потенциометр
дополнение
Принцип работы Прямой распределение
Оптическое положения Axial
выходы
Тип выхода PNP или NPN
Дополнительная функция выхода NO + NC
Частота коммутации 500 Гц
электрические данные
Напряжение питания 10-30В постоянного тока
Поглощение без нагрузки ≤ 40mA
Ток нагрузки ≤ 200 мА
Падение напряжения на выходе ≤ 2,5 В постоянного тока при 200 мА
Максимальная остаточная пульсация 10%
Защита от короткого замыкания Так
Защита от обратной полярности Так
Инфракрасное светодиодное излучение
механические данные
размеры 50x50mm
вес 105g
Подключение выходной разъем M12
Материал активной части ПММА
Рабочая температура - 20 ° C ... + 60 ° C (утверждение UL 0 ° C ... 60 ° C)
Материал PC / ABS
Тестирование / Сертификаты
Электромагнитная совместимость EN 60947-5-2
Ударные и вибрационные вибрации IEC 60068-2-6 / Shock IEC 60068-2-27
Степень защиты IP67
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Випромінювання - Фото (Фотоелектричні датчики) | Infrared |
| Вихід - Фото (Фотоелектричні датчики) | NPN/PNP |
| Відстань дії - Фото (Фотоелектричні датчики) | 1000 мм |
| Контакти - Фото (Фотоелектричні датчики) | NO/NC |
| Матеріал корпусу - Фото (Фотоелектричні датчики) | Пластик |
| Напруга живлення - Фото (Фотоелектричні датчики) | 10…30VDC |
| Принцип роботи - Фото (Фотоелектричні датчики) | Дифузійний |
| Підключення - Фото (Фотоелектричні датчики) | Конектор М12 |
| Розмір корпусу - Фото (Фотоелектричні датчики) | 50x50 |
| Форма корпусу - Фото (Фотоелектричні датчики) | Кубічна |
- Цена: от 4 614,33 ₴