Фотоэлектрический датчик, диффузный, SP2/0N-1E M.D. Micro Detectors

Фотоэлектрический датчик, диффузный, SP2/0N-1E M.D. Micro Detectors

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ
свойства обнаружения
Номинальная расстояние обнаружения 100мм
Тепловой дрейф ≤ 10% Sr
Воспроизводимость 5%
Регулировка чувствительности Ни
дополнение
Принцип работы Прямой распределение
Отмечает белую мишень 90% Kodak 100x100мм
Оптическое положения Прямой угол (90 °)
выходы
Тип выхода NPN
Функция выбора LO / DO на выходе
Частота коммутации 250Гц
электрические данные
Напряжение питания 10-30В постоянного тока
Расход без нагрузки ≤ 30mA
Ток нагрузки ≤100mA
Ток утечки ≤10 мкА
Падение напряжения на выходе 1,2 В макс.  ИЛ = 100 мА
Максимальная остаточная пульсация 10%
Желтые светодиодные индикаторы (исходное состояние)
Задержка наличии ≤200 мс
Защита от короткого замыкания Так
Защита от обратной полярности Так
Инфракрасное светодиодное излучение
Невосприимчивость к окружающему света 3000lux (лампа накаливания), 10000lux (солнечный свет)
Защита от импульсных перенапряжений Так
механические данные
Размеры M18 x 1 / L = 75,7мм
100 г
Материал корпуса Латунь никелированная
Подключение Выходной разъем M12 4pin
Материал активной части ПММА
Крутящий момент затяжки 25 Нм
Рабочая температура - 25 ° C ... + 70 ° C (без конденсата)
Тестирование / Сертификаты
Сертификаты CE, cULus
Электромагнитная совместимость EN 60947-5-2
Ударные и вибрационные вибрации IEC 60068-2-6 / Shock IEC 60068-2-39
Степень защиты IP67