Фотоэлектрический датчик BGS 50 мм, NPN, L/D пластиковый, SS0/0N-0A M.D. Micro Detectors

Фотоэлектрический датчик BGS 50 мм, NPN, L/D пластиковый, SS0/0N-0A M.D.  Micro Detectors

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ
свойства обнаружения
50 мм номинальная расстояние обнаружения
Тепловой дрейф ≤ 10% Sr
Воспроизводимость 5%
Минимальный предмет, оказывается, 1мм
Регулировка чувствительности Ни
дополнение
Принцип работы Подавление фона
Примечания с белой целью Kodak 90% 100 x 100
Осевое оптическое положения
выходы
Тип выхода NPN
Функция выбора LO / DO на выходе
Частота коммутации 1 кГц
электрические данные
Напряжение питания 10-30В постоянного тока
Расход без нагрузки ≤ 30mA
Ток нагрузки ≤100mA
Ток утечки ≤10 мкА
Падение напряжения на выходе 1,2 Вmax.  ИЛ = 100 мА
Максимальная остаточная пульсация 10%
Желтые светодиодные индикаторы (исходное состояние)
Задержка наличии ≤200 мс
Защита от короткого замыкания Так
Защита от обратной полярности Так
Красные светодиодные выбросы
Невосприимчивость к окружающему света 3000lux (лампа накаливания), 10000lux (солнечный свет)
Защита от импульсных перенапряжений Так
механические данные
Размеры M18 x 1 / L = 63,9мм
вес 70g
PBT материал корпуса
Подключение 2м кабеля ПВХ
Материал активной части ПММА
Крутящий момент затяжки 1 Нм
Рабочая температура - 25 ° C ... + 70 ° C (без конденсата)
Тестирование / Сертификаты
Сертификаты CE, cULus
Электромагнитная совместимость EN 60947-5-2
Ударные и вибрационные вибрации IEC 60068-2-6 / Удар IEC 60068-2-27
Степень защиты IP67