Фотоэлектрический датчик, диффузный, 100 мм, NPN, NO+NC, разъем M12, FAI2/BN-1E5I M.D. Micro Detectors

Фотоэлектрический датчик, осевой, диффузный, 100 мм, NPN, NO + NC, пластиковый, разъем M12, оптическая головка, до 105 ° C FAI2/BN-1E5I M.D.  Micro Detectors

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ
свойства обнаружения
Номинальная расстояние обнаружения 100 мм белая цель 90% Kodak 100x100 мм
Тепловой дрейф ≤ 10% Sr
Воспроизводимость 5%
Регулировка чувствительности Ни
дополнение
Принцип работы Прямой распределение
Оптическое положения Axial
выходы
Тип выхода NPN
Выходная функция N0 + NC
Частота коммутации 250Гц
электрические данные
Напряжение питания 10-30В постоянного тока
Расход без нагрузки ≤ 30mA
Ток нагрузки ≤100mA
Ток утечки ≤10 мкА
Падение выходного напряжения 2В макс.  ИЛ = 100 мА
Максимальная остаточная пульсация 10%
Желтые светодиодные индикаторы (исходное состояние)
Задержка наличии ≤200 мс
Защита от короткого замыкания Короткое замыкание (самозанулення), перенапряжение
Защита от обратной полярности, инверсия полярности, импульсные перенапряжения
Инфракрасное светодиодное излучение
Защита от окружающего света 3000lux (лампа накаливания), 10000lux (солнечный свет)
механические данные
Размеры M18 x 1 / L = 81,6мм
100 г
Материал корпуса Латунь никелированная
Подключение M12 4pin разъем
Материал части ПК
Крутящий момент затяжки 25 Нм
Рабочая температура - 25 ° C ... + 70 ° C (без конденсата) -25 ° C ... + 110 ° C Оптическая головка
Тестирование / Сертификаты
сертификаты CE
Электромагнитная совместимость EN 60947-5-2
Ударные и вибрационные вибрации IEC 60068-2-6 / Shock IEC 60068-2-27
Степень защиты IP67
аксессуары
В комплект входят гайки G18 x 1